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Dichte 6.1g/ml GaN-Gallium-Nitrid-Siliziumscheibe-einzelner Kristall CASs 25617-97-4

Dichte 6.1g/ml GaN-Gallium-Nitrid-Siliziumscheibe-einzelner Kristall CASs 25617-97-4

    • GaN Gallium Nitride Silicon Wafer Single Crystal CAS 25617-97-4 Density 6.1g/ml
    • GaN Gallium Nitride Silicon Wafer Single Crystal CAS 25617-97-4 Density 6.1g/ml
    • GaN Gallium Nitride Silicon Wafer Single Crystal CAS 25617-97-4 Density 6.1g/ml
  • GaN Gallium Nitride Silicon Wafer Single Crystal CAS 25617-97-4 Density 6.1g/ml

    Produktdetails:

    Herkunftsort: China
    Markenname: OEM
    Zertifizierung: ISO9001

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    Preis: Negotiable
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    Ausführliche Produkt-Beschreibung
    CAS: 25617-97-4 EINECS-Nr: 247-129-0
    MF: GaN Aussehen: Kristall
    Dichte: 6.1g/mL, 25/4℃ mw: 83,73
    Markieren:

    Siliziumscheibesubstrat

    ,

    Siliziumoxidoblate

    GaN-Gallium-Nitrid-einzelne Kristallscheibe CAS 25617-97-4 mit Dichte von 6.1g/mL

     

    Typische physikalische Eigenschaften der GaN-Gallium-Nitrid-einzelnen Kristallscheibe

     

    2" GaN-Schablonen

     
    Einzelteil GaN-T-N GaN-T-S
    Maße Φ 2"
    Stärke 15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40 30 μm, μm 90
    Orientierung C-Achse (0001) ± 1°
    Leitungs-Art N-artig Halb-Isolieren
    Widerstandskraft (300K) < 0=""> > 106 Ω.cm
    Versetzungsdichte Kleiner als 1x108 cm-2
    Substratstruktur Starkes GaN auf Saphir (0001)
    Verwendbare Fläche > 90%
    Polnisch Standard: SSP-Wahl: DSP
    Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs oder einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.
     
     
     

     

    Dichte 6.1g/ml GaN-Gallium-Nitrid-Siliziumscheibe-einzelner Kristall CASs 25617-97-4
     
     

    2" - stehende GaN-Substrate

     

    Einzelteil GaN-Rumpfstation-n GaN-RUMPFSTATION-SI
    Maße Φ50.8mm-± 1mm
    Marco-Defekt-Dichte ALevel 2 cm2
    B-Niveau > 2 cm2
    Stärke 350 ± 25 μm
    Orientierung C-Achse (0001) ± 0.5°
    Orientierung flach (1-100) ± 0.5°, ± 16,0 1.0mm
    Sekundärorientierung flach (11-20) ± 3°, 8,0 ± 1.0mm
    TTV (Gesamtstärke-Veränderung) <15>
    BOGEN <20>
    Leitungs-Art N-artig Halb-Isolieren
    Widerstandskraft (300K) < 0=""> >106 Ω.cm
    Versetzungsdichte Kleiner als 5x106 cm-2
    Verwendbare Fläche > 90%
    Polnisch Vordere Oberfläche: Ra < 0="">
    Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.


     

     Dichte 6.1g/ml GaN-Gallium-Nitrid-Siliziumscheibe-einzelner Kristall CASs 25617-97-4
     

     Freistehende GaN-Substrate (kundengebundene Größe)

     
    Einzelteil GaN-FS-10 GaN-FS-15
    Maße 10.0mm Χ10.5mm 14.0mmΧ 15.0mm
    Marco-Defekt-Dichte ALevel 0 cm-2
    B-Niveau 2 cm-2
    Stärke Rang 300 300 ± 25 μm
    Rang 350 350 ± 25 μm
    Rang 400 400 ± 25 μm
    Orientierung C-Achse (0001) ± 0.5°
    TTV (Gesamtstärke-Veränderung) <15>
    BOGEN <20>
    Leitungs-Art N-artig Halb-Isolieren
    Widerstandskraft (300K) < 0=""> >106 Ω.cm
    Versetzungsdichte Kleiner als 5x106 cm-2
    Verwendbare Fläche > 90%
    Polnisch Vordere Oberfläche: Ra < 0="">
    Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

     

    Dichte 6.1g/ml GaN-Gallium-Nitrid-Siliziumscheibe-einzelner Kristall CASs 25617-97-4

     
    GaN-FS-N-1.5
     
    Einzelteil GaN-FS-N-1.5
    Maße 25.4mm ± 0.5mm  38.1mm± 0.5mm 40.0mm ± 0.5mm 45.0mm ± 0.5mm
    Marco-Defekt-Dichte ALevel 2 cm-2
    B-Niveau > 2 cm-2
    Stärke 350 ± 25 μm
    Orientierung C-Achse (0001) ± 0.5°
    Orientierung flach (1-100) ± 0.5° 8 ± 1mm (1-100) ± 0.5° 12 ± 1mm (1-100) ± 0.5° 14 ± 1mm (1-100) ± 0.5° 14 ± 1mm
    Sekundärorientierung flach (11-20) ± 3° 4 ± 1mm (11-20) ± 3° 6 ± 1mm (11-20) ± 3° 7 ± 1mm (11-20) ± 3° 7 ± 1mm
    TTV (Gesamtstärke-Veränderung) <15>
    BOGEN <20>
    Leitungs-Art N-artig Halb-Isolieren
    Widerstandskraft (300K) < 0=""> >106 Ω.cm
    Versetzungsdichte Kleiner als 5x106 cm-2
    Verwendbare Fläche > 90%
    Polnisch Vordere Oberfläche: Ra < 0="">
    Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

     
    Dichte 6.1g/ml GaN-Gallium-Nitrid-Siliziumscheibe-einzelner Kristall CASs 25617-97-4
     
     

    Stunden-‐ XRD Schwingkurven
     

     Dichte 6.1g/ml GaN-Gallium-Nitrid-Siliziumscheibe-einzelner Kristall CASs 25617-97-4
     

    Kontaktdaten
    Greenearth Industry Co.,Ltd

    Ansprechpartner: Ms. Linda

    Telefon: +86-19945681435

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