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| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | OEM |
| Zertifizierung: | ISO9001 |
| Min Bestellmenge: | Verhandelbar |
|---|---|
| Preis: | Negotiable |
| Verpackung Informationen: | saubere Tasche 100 oder einzelnes Kastenverpacken |
| Lieferzeit: | 5-7 Werktage nach empfingen Ihre Zahlungsdetails, die Werktage nach Ihre Zahlungsdetails empfingen |
| Zahlungsbedingungen: | T / T, Western Union, L / C |
| CAS: | 25617-97-4 | EINECS-Nr: | 247-129-0 |
|---|---|---|---|
| MF: | GaN | Aussehen: | Kristall |
| Dichte: | 6.1g/mL, 25/4℃ | mw: | 83,73 |
| Markieren: | Siliziumscheibesubstrat,Siliziumoxidoblate |
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GaN-Gallium-Nitrid-einzelne Kristallscheibe CAS 25617-97-4 mit Dichte von 6.1g/mL
Typische physikalische Eigenschaften der GaN-Gallium-Nitrid-einzelnen Kristallscheibe
2" GaN-Schablonen
| Einzelteil | GaN-T-N | GaN-T-S | |
| Maße | Φ 2" | ||
| Stärke | 15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40 | 30 μm, μm 90 | |
| Orientierung | C-Achse (0001) ± 1° | ||
| Leitungs-Art | N-artig | Halb-Isolieren | |
| Widerstandskraft (300K) | < 0=""> | > 106 Ω.cm | |
| Versetzungsdichte | Kleiner als 1x108 cm-2 | ||
| Substratstruktur | Starkes GaN auf Saphir (0001) | ||
| Verwendbare Fläche | > 90% | ||
| Polnisch | Standard: SSP-Wahl: DSP | ||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs oder einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. | ||
2" - stehende GaN-Substrate
| Einzelteil | GaN-Rumpfstation-n | GaN-RUMPFSTATION-SI | |
| Maße | Φ50.8mm-± 1mm | ||
| Marco-Defekt-Dichte | ALevel | 2 cm2 | |
| B-Niveau | > 2 cm2 | ||
| Stärke | 350 ± 25 μm | ||
| Orientierung | C-Achse (0001) ± 0.5° | ||
| Orientierung flach | (1-100) ± 0.5°, ± 16,0 1.0mm | ||
| Sekundärorientierung flach | (11-20) ± 3°, 8,0 ± 1.0mm | ||
| TTV (Gesamtstärke-Veränderung) | <15> | ||
| BOGEN | <20> | ||
| Leitungs-Art | N-artig | Halb-Isolieren | |
| Widerstandskraft (300K) | < 0=""> | >106 Ω.cm | |
| Versetzungsdichte | Kleiner als 5x106 cm-2 | ||
| Verwendbare Fläche | > 90% | ||
| Polnisch | Vordere Oberfläche: Ra < 0=""> | ||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. | ||
Freistehende GaN-Substrate (kundengebundene Größe)
| Einzelteil | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 | |
| Maße | 10.0mm Χ10.5mm | 14.0mmΧ 15.0mm | |
| Marco-Defekt-Dichte | ALevel | 0 cm-2 | |
| B-Niveau | 2 cm-2 | ||
| Stärke | Rang 300 | 300 ± 25 μm | |
| Rang 350 | 350 ± 25 μm | ||
| Rang 400 | 400 ± 25 μm | ||
| Orientierung | C-Achse (0001) ± 0.5° | ||
| TTV (Gesamtstärke-Veränderung) | <15> | ||
| BOGEN | <20> | ||
| Leitungs-Art | N-artig | Halb-Isolieren | |
| Widerstandskraft (300K) | < 0=""> | >106 Ω.cm | |
| Versetzungsdichte | Kleiner als 5x106 cm-2 | ||
| Verwendbare Fläche | > 90% | ||
| Polnisch | Vordere Oberfläche: Ra < 0=""> | ||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. | ||
| Einzelteil | GaN-FS-N-1.5 | |||||
| Maße | 25.4mm ± 0.5mm | 38.1mm± 0.5mm | 40.0mm ± 0.5mm | 45.0mm ± 0.5mm | ||
| Marco-Defekt-Dichte | ALevel | 2 cm-2 | ||||
| B-Niveau | > 2 cm-2 | |||||
| Stärke | 350 ± 25 μm | |||||
| Orientierung | C-Achse (0001) ± 0.5° | |||||
| Orientierung flach | (1-100) ± 0.5° 8 ± 1mm | (1-100) ± 0.5° 12 ± 1mm | (1-100) ± 0.5° 14 ± 1mm | (1-100) ± 0.5° 14 ± 1mm | ||
| Sekundärorientierung flach | (11-20) ± 3° 4 ± 1mm | (11-20) ± 3° 6 ± 1mm | (11-20) ± 3° 7 ± 1mm | (11-20) ± 3° 7 ± 1mm | ||
| TTV (Gesamtstärke-Veränderung) | <15> | |||||
| BOGEN | <20> | |||||
| Leitungs-Art | N-artig | Halb-Isolieren | ||||
| Widerstandskraft (300K) | < 0=""> | >106 Ω.cm | ||||
| Versetzungsdichte | Kleiner als 5x106 cm-2 | |||||
| Verwendbare Fläche | > 90% | |||||
| Polnisch | Vordere Oberfläche: Ra < 0=""> | |||||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. | |||||
Stunden-‐ XRD Schwingkurven
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