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Wachsendes Substrat der einzelnen Kristall-SrLaAlO4 mit thermische Expansions-Koeffizienten

Wachsendes Substrat der einzelnen Kristall-SrLaAlO4 mit thermische Expansions-Koeffizienten

SrLaAlO4 Growing Single Crystals Substrate With Thermal Expansion Coefficient

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: OEM
Zertifizierung: ISO9001

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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Wachstumsmethode: CZ Dielektrizitätskonstante: ~17
chemische Stabilität: Unlöslich im Wasser Dichte: 5,92 g/cm3
Schmelzpunkt: °C 1650 Oberfläche: Eine Seite poliert oder beide Seiten poliert
Markieren:

Siliziumscheibesubstrat

,

Siliziumoxidoblate

 

Substrat des einzelnen Kristalles SrLaAlO4 mit Koeffizienten der thermischen Expansion

 

 

Breif-intruduction des Substrates des einzelnen Kristalles SrLaAlO4

 

Hat Substrat des einzelnen Kristalles SrLaAlO4 keinen luan Kristall- und Phasenübergang vom Schmelzpunkt zur niedrigen Temperatur. 

 

Es hat die gleiche Struktur mit Hochtemperatur-Supraleiter YBCO.

 

Koeffizient der thermischen Expansion ist niedriger als andere Perowskitstrukturkristalle.

 

Kann der Absetzungsfilm, Gitterfehlanpassung verbessern und des Druckes zu verringern.

 

 

Typische physikalische Eigenschaften des Substrates des einzelnen Kristalles SrLaAlO4

 

Kristallstruktur Trtragonal
a=3.756Å
b=3.756Å
c=12.630Å
Wachstums-Methode CZ
Dichte 5,92 g/cm3
Schmelzpunkt °C 1650
Härte 6 (Mohn)
Dielektrizitätskonstante ~17
Chemische Stabilität Unlöslich im Wasser

 

Standardgröße des Substrates des einzelnen Kristalles SrLaAlO4

 

5 x 3 Millimeter

5 x 5 Millimeter

6.35x6.35mm

10x5mm

10x10mm

12.7x12.7mm

 

Stärke des Substrates des einzelnen Kristalles SrLaAlO4

0.5mm

 

Oberfläche des Substrates des einzelnen Kristalles SrLaAlO4

Eine Seite poliert oder beide Seiten poliert

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Greenearth Industry Co.,Ltd

Ansprechpartner: Ms. Linda

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