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Wachsende einzelne Kristalle

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Wachsende einzelne Kristalle

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China LETZTES wachsendes einzelne Kristall-Substrat O3 reifen keinen Zwillings-Perowskit-Kristall usine

LETZTES wachsendes einzelne Kristall-Substrat O3 reifen keinen Zwillings-Perowskit-Kristall

LETZTES Substrat des einzelnen Kristalles (La, Sr) (Al, Ta) O3 ein reifes kein Zwillingsperowskitkristall Breif-intruduction des LETZTEN Substrates des einzelnen Kristalles (La, Sr) (Al, Ta) ist O3 reifen ... Read More
2018-12-20 14:08:47
China Notiz: lackierte Silikon-Substrat eins/beide des einzelnen Kristall-SrTiO3 polierten Seiten usine

Notiz: lackierte Silikon-Substrat eins/beide des einzelnen Kristall-SrTiO3 polierten Seiten

Notiz: lackiertes Substrat des einzelnen Kristalles SrTiO3 stellen die Elektrode zu den Filmen und zu den Geräten zur Verfügung Breif-intruduction von Notiz: lackierte Substrat des einzelnen Kristalles SrTiO3 ... Read More
2018-12-20 14:08:47
China F.E. lackierte einzelner Kristall Verneuil-Wachstums-Methode Kubik-A=3.905Å des Substrat-SrTiO3 usine

F.E. lackierte einzelner Kristall Verneuil-Wachstums-Methode Kubik-A=3.905Å des Substrat-SrTiO3

F.E. lackierte einzelnen Kristall SrTiO3 mit Kristallstruktur von Kubik-a=3.905Å Typische physikalische Eigenschaften von F.E. lackierten einzelnen Kristall SrTiO3 Kristallstruktur   Kubik-a=3.905Å Dopings... Read More
2018-12-20 14:08:47
China Wachsende Seiten-Polierdurchmesser 4" Pt/Ti/SiO2/Si der einzelne Kristall-Si-Oblaten-eine X 0.5mm usine

Wachsende Seiten-Polierdurchmesser 4" Pt/Ti/SiO2/Si der einzelne Kristall-Si-Oblaten-eine X 0.5mm

Einzelne Kristallscheibe Pt/Ti/SiO2/Si mit Si-Oblate und Durchmesser 4" x 0,5 Millimeter Typische physikalische Eigenschaften einzelner Kristallscheibe Pt/Ti/SiO2/Si Pint-Schicht: 150 Nanometer Tischicht: 20 ... Read More
2018-12-20 14:08:47
China Wachsende einzelne Kristall-supraleitende Dünnfilm-Anwendung des Substrat-KTaO3 usine

Wachsende einzelne Kristall-supraleitende Dünnfilm-Anwendung des Substrat-KTaO3

Substrat des einzelnen Kristall-KTaO3 in der Anwendung des supraleitenden Dünnfilms Breif-intruduction des Substrates des einzelnen Kristall-KTaO3 Einzelner Kristall des Kaliumtantalate ist ein neuer Typ ... Read More
2018-12-20 14:08:47
China 99,99% Schmelzpunkt-supraleitende Hochtemperaturstruktur der Reinheits-YSZ einzelnen des Kristall-2500°C usine

99,99% Schmelzpunkt-supraleitende Hochtemperaturstruktur der Reinheits-YSZ einzelnen des Kristall-2500°C

Einzelner Kristall YSZ für supraleitende Strukturtechnologie der hohen Temperatur Breif-intruduction einzelnen Kristalles YSZ Wir fügen Yttrium (Y) in einzelnen Kristall des Zirkoniumoxids hinzu, um seine ... Read More
2018-12-20 14:08:47
China Dichte 6.1g/ml GaN-Gallium-Nitrid-Siliziumscheibe-einzelner Kristall CASs 25617-97-4 usine

Dichte 6.1g/ml GaN-Gallium-Nitrid-Siliziumscheibe-einzelner Kristall CASs 25617-97-4

GaN-Gallium-Nitrid-einzelne Kristallscheibe CAS 25617-97-4 mit Dichte von 6.1g/mL Typische physikalische Eigenschaften der GaN-Gallium-Nitrid-einzelnen Kristallscheibe 2" GaN-Schablonen Einzelteil GaN-T-N GaN-T... Read More
2018-12-20 14:08:47
China Oxid-Kristall-Substrat MgO Mgnesium für Ferroelectric/optischen Dünnfilm usine

Oxid-Kristall-Substrat MgO Mgnesium für Ferroelectric/optischen Dünnfilm

Oxid-einzelner Kristall-Substrat MgO Mgnesium für den ferroelectric, magnetischen, optischen Dünnfilm Breif-intruduction des Oxid-einzelner Kristall-Substrates MgO Mgnesium In der gegenwärtigen Industrie ist ... Read More
2018-12-20 14:08:47
China Wachsendes Substrat-Magnesium-Aluminiumspinell-Oxid der einzelnen Kristall-MgAl2O4 für optisches/elektronisches usine

Wachsendes Substrat-Magnesium-Aluminiumspinell-Oxid der einzelnen Kristall-MgAl2O4 für optisches/elektronisches

Kristallgebrauch des substrat-Magnesium-Aluminats MgAl2O4 in den optischen, elektronischen Anwendungen Breif-introducation von Kristall-Substraten des Magnesium-Aluminats-MgAl2O4 MgAl2O4 ist ein verhältnismä... Read More
2018-12-20 14:08:47
China Substrat CZ-Wachstum des einzelnen Kristall-GGG mit guten körperlichen/mechanischen Eigenschaften usine

Substrat CZ-Wachstum des einzelnen Kristall-GGG mit guten körperlichen/mechanischen Eigenschaften

Einzelner Kristall GGG mit guten körperlichen und mechanischen Eigenschaften und chemischer Stabilität Breif-intruduction einzelnen Kristalles GGG (Gd3Ga5O12) ist einzelner Kristall das spezielle Substrat, das ... Read More
2018-12-20 14:08:47
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